氮化硅薄膜采用LPCVD沉积技术，极大的消除了氮化硅薄膜沉积过程中的应力过高，薄膜易破损等问题。器件从百级-千级的超净加工环境中，采用光刻、薄膜沉积、刻蚀等工艺制作完成，使得氮化硅薄膜器件有着其它薄膜无可比拟的优势。

LPCVD沉积、紫外光刻、EBL电子束直写、BOSCH工艺、激光隐切等

用于同步辐射、TEM电镜载网、以及原位热学观察芯片等领域。