采用芬兰BENEQ ALD 生长系统，可以实现TiO2、SiO2、Al2O3、HfO2等特殊二维材料生长。 (1) 本底真空小于 0.5×10-3 Torr； (2) 等离子体源：采用电感耦合等离子体发生器，采用远程等离子体方式；电源频率为 13.56MHz，功率 0-300W 可调，自动匹配； (3) 工艺源材料：配备 5 路加热前驱体源管路，4 路适用于常温源及加热液源，1 路适用于饱和蒸汽压较低的固态或液态源； (4) 样品要求：最大 4 英寸衬底；向下兼容。