低应力生长氮化硅和氧化硅等薄膜。 1. 等离子体源：采用 13.56MHz高频 射频电源激发等离子体，最高功率 1000W；配有低频等离子体电源可用于腔室清洗和低应力薄膜生长； 2. 工艺气体：SiH4（5%+N295%）、N2O、NH3、N2和 CF4； 3. 生长温度：室温～350℃；常设温度为室温； 4. 样品要求：最大直径为 8 英寸样品，向下兼容；