在SOI衬底或硅片上沉积0.5-2um厚压电PZT，形成类单晶薄膜，具备很高的d33指标，详见说明。 常用于超声换能器领域如PMUT，器件谐振频率可从几十K赫兹-50M赫兹，覆盖甚低频到高频领域。也可用于振动探测、水听器、测距、TOF等场合。
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