可以在石英玻璃、氧化硅、硅、氟化钙等衬底上沉积α-Si、TiO2、 Si3N4、VO2、GST225、金属等薄膜材料,利用等离子体或者IBE离子束刻蚀的方法,在衬底上实现纳米尺度下功能材料层的结构化刻蚀,从而满足客户对光场、电场、磁场等的调控要求。

产品特点

可以根据客户要求进行定制。刻蚀形成一些特殊材料的纳米级图形结构,例如:微柱、微坑、微锥(针)。

适用工艺

主要采用纳米级制作工艺,包括但不限于stepper、EBL等曝光形式。刻蚀根据材料属性灵活选配等离子或离子束等工艺方式。

产品应用

AR/VR,DOE、太赫兹探测、近红外/远红外成像、特殊波段减反增透等领域。

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